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      等離子去膠在使用時需注意哪四個影響要素?

      更新時間:2023-07-20  |  點擊率:1465
        去膠工藝是微加工過程中一個重要的過程,在電子束曝光,紫外曝光等微納米加工工藝后,都要對光刻膠進行去除或打底膜處理。光刻膠是否去除干凈對樣片是否有損傷等問題,將直接影響后續工藝的順利完成。

      等離子去膠性能出色的組件和軟件,可對工藝參數進行精確控制。它的工藝監測和數據采集軟件可實現嚴格的質量控制。該技術已經成功的應用于功率晶體管、模擬器件、傳感器、光學器件、光電、EMS/MOEMS、生物器件、LED等領域。

        產品具有去膠快速*;對樣片無損傷;操作簡單安全;設計緊湊美觀;產品性價比高等優勢。
       
        等離子去膠在使用中四大影響要素,希望能幫到大家。
        1、調整合適的頻率:頻率越高,氧越易電離構成等離子體。頻率太高,以致電子振幅比其平均自由程還短,則電子與氣體分子磕碰概率反而減少,使電離率降低。通常常用頻率為13.56MHz及2.45GHZ。
        2、調整合適功率:關于必定量的氣體,功率大,等離子體中的的活性粒子密度也大,去膠速度也快;但當功率增大到必定值,反響所能耗費的活性離子到達飽滿,功率再大,去膠速度則無顯著添加。由于功率大,基片溫度高,所以應根據技術需求調理功率。
        3、調整適合的真空度:恰當的真空度,可使電子運動的平均自由程變大,因而從電場取得的能量就大,有利電離。別的當氧氣流量必守時,真空度越高,則氧的相對份額就大,發生的活性粒子濃度也就大。但若真空度過高,活性粒子濃度反而會減小。
        4、氧氣流量的調整:氧氣流量大,活性粒子密度大,去膠速率加速;但流量太大,則離子的復合概率增大,電子運動的平均自由程縮短,電離強度反而降低。若反響室壓力不變,流量增大,則被抽出的氣體量也添加,其間尚沒參與反響的活性粒子抽出量也隨之添加,因而流量添加對去膠速率的影響也就不甚顯著。
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