在半導體制造的精密世界里，硅片膜層厚度的微小偏差都可能導致器件性能衰減甚至失效。傳統(tǒng)接觸式測量方法因易劃傷晶圓表面、無法實時監(jiān)測等問題，逐漸被非接觸式技術取代。近紅外光（NIR）憑借其特殊的物理特性，成為
硅片厚度測量儀的核心光源，為芯片制造、光伏產(chǎn)業(yè)等領域提供了兼具速度與精度的解決方案。
一、穿透性與低吸收：NIR破解多層膜“透明迷宮”
硅片表面常沉積有氧化硅、氮化硅、多晶硅等多層薄膜，傳統(tǒng)可見光易被膜層吸收或反射，導致測量信號失真。近紅外光（波長范圍780-2500nm）的能量較低，能夠穿透0.1-10μm厚度的常見膜層，同時被硅片基底部分反射。通過分析反射光中不同波長的相位差與強度變化，測量儀可精準解算出各膜層的幾何厚度。例如，在12英寸晶圓制造中，NIR技術可同時檢測3層薄膜的厚度，單點測量時間＜0.1秒，較橢偏儀效率提升5倍。
二、抗干擾設計：突破環(huán)境噪聲的“光學屏障”
生產(chǎn)車間存在的振動、溫度波動及背景光干擾，常導致測量數(shù)據(jù)跳變。NIR測量儀采用三大核心技術構建抗干擾體系：
1.鎖相放大技術：通過調(diào)制光源頻率至kHz級，濾除低頻噪聲，信噪比提升40dB；
2.共光路干涉結構：將參考光與測量光共路徑傳輸，消除機械振動引起的光程差誤差；
3.溫度補償算法：實時監(jiān)測環(huán)境溫度，動態(tài)修正熱膨脹對光學元件的影響。
某光伏企業(yè)實測顯示，在車間溫度波動±3℃的條件下，NIR測量儀的重復性偏差＜0.3nm，遠優(yōu)于行業(yè)要求的±1nm標準。
三、全光譜擬合：解鎖復雜結構的“光學密碼”
對于梯度折射率膜層或納米級粗糙表面，單一波長測量易產(chǎn)生系統(tǒng)誤差。NIR測量儀搭載全光譜掃描模塊（覆蓋800-1700nm），可獲取數(shù)百個波長點的反射光譜，并通過機器學習模型擬合出厚度分布。在3D NAND閃存堆疊結構檢測中，該技術成功識別出層間5nm級的厚度異常，幫助廠商將產(chǎn)品良率從82%提升至91%。
目前，NIR硅片厚度測量儀已覆蓋從研發(fā)到量產(chǎn)的全流程，其測量數(shù)據(jù)與TEM截面分析的吻合度達99.2%。隨著EUV光刻、異質集成等先進制程的推進，這項“光學標尺”技術正持續(xù)拓展人類對微觀世界的認知邊界。
